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[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111122149.3在审
发明人：吕奇峰 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括有源区；还包括：衬底；外延结构；电极结构，电极结构包括多个欧姆接触电极；第一介质层；电极连接线，位于第一介质层远离衬底的一侧；电极连接线包括欧姆接触电极连接线，欧姆接触电极连接线与欧姆接触电极电连接；第二介质层；电极键合盘，位于第二介质层远离衬底的一侧；电极键合盘包括欧姆接触电极键合盘，欧姆接触电极键合盘与欧姆接触电极连接线电连接，且至少部分欧姆接触电极键合盘位于有源区本发明提供的半导体器件，将至少部分欧姆接触电极键合盘位于有源区，可减少欧姆接触电极键合盘和衬底之间产生的寄生电容，满足对半导体器件输入和输出电容的高要求。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法-CN200810116040.7无效
发明人：颜廷静;苏艳梅;王国东;种明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上；一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上；一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上；一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。
gan 基日盲型紫外探测器及其制作方法

[发明专利]一种GaN器件欧姆接触的改良方法-CN201910095568.9有效
发明人：郑雪峰;陈管君;陈轶昕;王小虎;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN器件欧姆接触的改良方法，其特征在于，包括：制备GaN器件，其中，所述GaN器件具有欧姆接触电极；在预设能量、预设剂量、预设温度、预设压强和预设时间下，对所述欧姆接触电极进行质子辐照。本发明实施例通过对GaN器件的欧姆接触电极进行一定程度的质子辐照，减小了欧姆接触电极的电阻，进而减小了有源区的方块电阻和比接触电阻，使得欧姆接触电极上的压降减小，从而增大了异质结沟道区域的压降，因此，质子辐照提升了欧姆接触电极的性能
一种 gan 器件欧姆接触改良方法

[实用新型]碳化硅横向PIN型微型核电池-CN201220734703.3有效
发明人：张林;李清华;邱彦章;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池，包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极，P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极；N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构，N型欧姆接触电极的垂直指条与P型欧姆接触电极的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构；N型SiC外延层上部除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层。
碳化硅横向 pin 微型核电

[发明专利]一种基于相变材料的分立式射频开关元件-CN202310415014.9在审
发明人：马燕利;陈强;付云起;郑月军;王忠宝;帅陈杨;郭田田;马欣瑜;丁亮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：所述分立式射频开关元件自上而下依次包括衬底、相变材料、信号传输电路欧姆接触电极、隔离层、加热电阻、加热控制电路欧姆接触电极、钝化层和封装外壳；信号传输电路欧姆接触电极与相变材料相连；加热控制电路欧姆接触电极与加热电阻相连；信号传输电路欧姆接触电极和加热控制电路欧姆接触电极均具有长引线和由内向外逐渐张开的扇形结构；信号传输电路欧姆接触电极伸出封装外壳形成四个端口用于接入射频电路；加热控制电路欧姆接触电极伸出封装外壳形成两个端口用于接入外部电激励信号
一种基于相变材料立式射频开关元件

[发明专利]碳化硅温度传感器及其制造方法-CN201210580213.7有效
发明人：张林;李演明;邱彦章;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅温度传感器及其制造方法，其传感器包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部设有圆形肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设有圆环形N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间以及欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设有二氧化硅层；其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极，七、热退火。
碳化硅温度传感器及其制造方法

[发明专利]P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法-CN201610497847.4在审
发明人：张林;张赞;高恬溪;朱玮 -专利权人：长安大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，P型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区，N型SiC欧姆接触区与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区的上部设置有第一N型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极、第一N型欧姆接触电极和第二N型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。
碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法

[发明专利]叉指型变容二极管及其制备方法-CN202310954490.8在审
发明人：付兴中;侯钧杰;周国;宋洁晶;李保第;戴峰;胡泽先;刘亚亮;张力江;崔玉兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明提供一种叉指型变容二极管及其制备方法，其中，制备方法包括在P型欧姆接触层上的第一预设区域制备第一叉指P型欧姆接触电极；对设有第一叉指P型欧姆接触电极的P型欧姆接触层进行刻蚀，使得刻蚀后得到的刻蚀台面的侧壁与N型欧姆接触层之间有一夹角；在N型欧姆接触层上的第二预设区域和第三预设区域分别制备第二叉指N型欧姆接触电极和第三叉指N型欧姆接触电极；对设有第二叉指N型欧姆接触电极、第三叉指N型欧姆接触电极和第一叉指P型欧姆接触电极的N型欧姆接触层进行刻蚀，直至露出半绝缘衬底；然后半绝缘衬底上生长金属层，以形成叉指型变容二极管。
叉指型变容二极管及其制备方法

[实用新型]一种栅型电极结构SiC雪崩光电二极管-CN202221364204.X有效
发明人：苏琳琳;马文烨;夏开鹏;杨成东;高晏琦;张见 -专利权人：无锡学院
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种栅型电极结构SiC雪崩光电二极管，包括n+型SiC衬底、底部n型欧姆接触电极、外延层、上层p型欧姆接触电极和电极，其中：n+型SiC衬底的正面设置外延层，外延层的正面设置上层p型欧姆接触电极，n+型SiC衬底的底面设置底部n型欧姆接触电极；外延层为p+/p/i/n+结构；上层p型欧姆接触电极为栅型结构的电极，上层p型欧姆接触电极由根电极和枝电极组成，其中，枝电极由多个条形电极组成，枝电极的多个条形电极垂直于DDA0003673277520000011.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />方向，根电极为一个条形电极，将枝电极的多个条形电极连接在一起；上层p型欧姆接触电极与电极连接。本实用新型将上层p型欧姆接触电极优化为栅极结构，提高电场分布均匀性，增加光生载流子的雪崩几率，优化器件探测能力。
一种电极结构 sic 雪崩光电二极管

[发明专利]N型SiC欧姆接触电极的制作方法-CN201710823143.6有效
发明人：谭永亮;刘佳佳;梁东升;刘相伍;张力江;崔玉兴 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型SiC欧姆接触电极的制作方法，涉及欧姆电极的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在N型SiC圆片的上表面欧姆接触电极区进行光刻，制作欧姆接触电极的掩膜；在具有掩膜的SiC圆片的上表面依次沉积Ni层、Ti层以及Pt层，沉积结束后进行剥离工艺，去除多余的金属；在惰性气氛中进行快速热退火处理，在所述N型SiC圆片的上表面形成欧姆接触电极。所述方法使用Ni/Ti/Pt多层金属并经过退火后形成欧姆接触电极，形成的欧姆接触电极的表面形貌平整，无C颗粒析出，并且能够与N型SiC形成较好的欧姆接触。
sic 欧姆接触电极制作方法

[发明专利]一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构及倒装LED芯片-CN201310400362.5无效
发明人：唐小玲;夏红艺;罗路遥 -专利权人：深圳市智讯达光电科技有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构以及含有该结构的倒装LED芯片，倒装LED芯片的欧姆接触电极结构，芯片包括蓝宝石衬底、设置在蓝宝石衬底下侧的N型半导体层和置于N型半导体层下侧的P型半导体层，P型半导体层下侧覆盖有P型欧姆接触电极层，在P型半导体层和P型欧姆接触电极层上设有长条形的沟槽，沟槽从P型欧姆接触电极层的底面延伸至N型半导体层上，N型半导体层的下侧在沟槽内的部分设有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极成长条形沿沟槽分布。设计长条形的欧姆接触电极，使倒装LED芯片进行锡焊封装，相比共晶焊接，成本更低；倒装LED芯片的P型和N型半导体之间电流分布均匀，提高芯片的发光效率。
一种倒装 led 芯片欧姆接触电极结构

[实用新型]一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构及倒装LED芯片-CN201320550892.3有效
发明人：唐小玲;夏红艺;罗路遥 -专利权人：深圳市智讯达光电科技有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构及倒装LED芯片，倒装LED芯片的欧姆接触电极结构，芯片包括蓝宝石衬底、设置在蓝宝石衬底下侧的N型半导体层和置于N型半导体层下侧的P型半导体层，P型半导体层下侧覆盖有P型欧姆接触电极层，在P型半导体层和P型欧姆接触电极层上设有长条形的沟槽，沟槽从P型欧姆接触电极层的底面延伸至N型半导体层上，N型半导体层的下侧在沟槽内的部分设有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极成长条形沿沟槽分布设计长条形的欧姆接触电极，使倒装LED芯片进行锡焊封装，相比共晶焊接，成本更低；倒装LED芯片的P型和N型半导体之间电流分布均匀，提高芯片的发光效率。
一种倒装 led 芯片欧姆接触电极结构

[发明专利]N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法-CN201610497719.X在审
发明人：张林;谷文萍;胡笑钏;高恬溪 -专利权人：长安大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，N型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶的顶端设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，沟槽内设置有P型SiC欧姆接触区，P型SiC欧姆接触区与台阶侧面和沟槽的底部接触，位于沟槽底部的P型SiC欧姆接触区的上部设置有第一P型欧姆接触电极，第二P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极和第一P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。
碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法

[发明专利]碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法-CN201210580215.6有效
发明人：张林;李清华;邱彦章;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极，P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极；N型SiC外延层上除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层；一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成P型SiC欧姆接触掺杂区，五、形成二氧化硅层，六、形成欧姆接触电极，七、形成肖特基接触电极；本发明设计新颖合理，提高了微型核电池的能量转换效率和封装密度。
碳化硅横向 pin 微型核电及其制造方法

[实用新型]碳化硅横向肖特基结型微型核电池-CN201220735047.9有效
发明人：张林;李清华;邱彦章;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池，包括由N型SiC基片构成的衬底和设置在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有欧姆接触电极，N型SiC外延层上部设置有肖特基接触电极；N型SiC欧姆接触掺杂区、欧姆接触电极和肖特基接触电极均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构，欧姆接触电极的垂直指条与肖特基接触电极的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构；N型SiC外延层上部除去欧姆接触电极和肖特基接触电极的区域设置有二氧化硅层。
碳化硅横向肖特基结型微型核电

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